超臨界二酸化炭素エマルションを用いた無電解Ni-Pめっき手法におけるNi-P被膜成長のメカニズムを解明1/17-2012

　本研究室博士課程３年の学生・内山浩幹君により、2007年、超臨界二酸化炭素エマルションを用いた無電解Ni-Pめっき手法が開発され、その方法によりノジュール（こぶ状欠陥）の抑制が可能であることが報告されました（J.Electrochem.Soc.,154, E91(2007)）。内山君は、博士論文において無電解めっき反応における特定のノジュールの成長を直接観察する方法を開発するとともに、この新規無電解めっき方法が従来の無電解めっき方法による被膜成長と異なっていることを見出し、この結果をECSで論文発表しました（J.Electrochem.Soc.,159, D114(2012))。従来の無電解めっきでは、めっき液の電気化学的特性からノジュールが優先的に成長することが知られています（図１参照）。一方、新規方法では、ノジュールの優先的成長が抑制され、多数の核の成長が見られます。